IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN95R3K7P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPN95R1K2P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS P7 (Super Junction)
Paket PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) SOT-223-3 (PG-SOT223)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin