IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPN95R3K7P7ATMA1 توسط Infineon و IPN95R1K2P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS P7 (Super Junction)
بسته‌بندی PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) SOT-223-3 (PG-SOT223)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
تعداد پایه — 3 (2 + Tab)
محدوده دمای کاری — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت