IR2011SPBF vs 2ED21834S06JXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2011SPBF द्वारा Infineon और 2ED21834S06JXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon
2ED21834S06JXUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IR2011SPBF | 2ED21834S06JXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | Half-Bridge Gate Driver IC |
| Configuration | High-Side and Low-Side, Inverting | Half-bridge (high-side + low-side) |
| आउटपुट की संख्या | 2 | — |
| Offset Voltage (High-Side, max) | 200 V | — |
| Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) | 10 V to 20 V | — |
| Output Source/Sink Current | 1 A / 1 A (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 80 ns | — |
| Rise / Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| Input Logic Compatibility | CMOS / LSTTL, down to 3.0 V | — |
| dV/dt Immunity | Yes | — |
| Negative Transient Tolerance | Yes (on VS pin) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 C to +125 C | -40 °C to +125 °C |
| पैकेज | 8-SOIC (DSO-8) | PG-DSO-14-49 (DSO-14) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Tube / Reel Packaging | Tube (per Infineon PBF convention) | — |
| Maximum Offset Voltage (VBS) | — | 650 V |
| Typical Sink Current | — | 2.5 A |
| Typical Source Current | — | 2.5 A |
| Input Logic | — | Non-Inverting |
| Integrated Bootstrap Diode | — | Yes |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| पिन की संख्या | — | 14 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 |