IR2011SPBF vs 2ED21834S06JXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2011SPBF توسط Infineon و 2ED21834S06JXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2011SPBF 2ED21834S06JXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting Half-bridge (high-side + low-side)
تعداد خروجی‌ها 2 —
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) —
محدوده دمای کاری -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
بسته‌بندی 8-SOIC (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
تعداد پین‌ها — 14
وضعیت RoHS — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت