IR2011SPBF vs 2ED21834S06JXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2011SPBF tarafından Infineon ve 2ED21834S06JXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2011SPBF 2ED21834S06JXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting Half-bridge (high-side + low-side)
Çıkış Sayısı 2 —
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
Paket 8-SOIC (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Pin Sayısı — 14
RoHS Durumu — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin