IRF2907ZSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF2907ZSTRLPBF द्वारा Infineon और IRF540NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF2907ZSTRLPBF | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 75 V | — |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | 170 A | — |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=100°C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | 4.5 mOhm | — |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | 3.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | 300 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| Technology | IR HEXFET / IR MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| पैकेज | D2PAK (TO-263AB) surface mount | D2PAK (TO-263), surface mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (left orientation) | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |