IRF2907ZSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF2907ZSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF2907ZSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 170 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
پیکیج D2PAK (TO-263AB) surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMD) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (left orientation) Tape & Reel (13-inch reel)
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں