IRF2907ZSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF2907ZSTRLPBF tarafından Infineon ve IRF540NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF2907ZSTRLPBF | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 75 V | — |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | 170 A | — |
| Devamlı Akım Akışı (TC=100°C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | 4.5 mOhm | — |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | 3.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | 300 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Technology | IR HEXFET / IR MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Paket | D2PAK (TO-263AB) surface mount | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (left orientation) | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |