IRF640NPBF vs IPP600N25N3GXKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF640NPBF द्वारा Infineon और IPP600N25N3GXKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF640NPBF | IPP600N25N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | 136 W |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Enhancement Mode | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 25 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 60 mOhm at VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| पैकेज / केस | — | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C (junction) |
| Reverse Recovery Time (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typical value] |
| Lead Free Status | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |