IRF640NPBF vs IPP600N25N3GXKSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF640NPBF bằng Infineon và IPP600N25N3GXKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF640NPBF IPP600N25N3GXKSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W 136 W
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) MOSFET (Metal Oxide)
Kiểu transitor N-Channel Enhancement Mode —
Hộp TO-220AB (through-hole, 3-pin) —
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Hộp / Vỏ — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C (junction)
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá