IRF640NPBF vs IPP600N25N3GXKSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF640NPBF מאת Infineon ו IPP600N25N3GXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF640NPBF | IPP600N25N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | 136 W |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | — |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel Enhancement Mode | — |
| מארז | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | — |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 25 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 60 mOhm at VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| מארז / Case | — | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (junction) |
| Reverse Recovery Time (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typical value] |
| Lead Free Status | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| מספר פינים | — | 3 (Gate, Drain, Source) |