IRF640NPBF vs IPP600N25N3GXKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF640NPBF بذریعہ Infineon اور IPP600N25N3GXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF640NPBF | IPP600N25N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | 136 W |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement Mode | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 25 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 60 mOhm at VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| پیکیج / کیس | — | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C (junction) |
| Reverse Recovery Time (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typical value] |
| Lead Free Status | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |