K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G085WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A4G085WD-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| डेटा दर | 2400 Mb/s (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| पैकेज | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +85C |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |