K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCTD So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A4G085WD-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A4G085WD-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCTD
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Memory Density 4 Gbit —
Tổ chức 512M x 8 512M x 8
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (D-die) DDR4 SDRAM
Tốc độ dữ liệu 2400 Mb/s (PC2400) 2666 Mbps/pin
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2 V
Hộp FBGA-78 (TFBGA) 78-ball FBGA
Number of Terminals 78 —
Giao diện Parallel DDR4 (JEDEC-compatible)
Access Mode Multi-bank page burst —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Die Generation — D-die
Density — 4 Gb
Nhiệt độ hoạt động — 0C to +85C
Ball Pitch — 0.8 mm
Speed Class — DDR4-2666 (PC4-21300)
Bank Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá