K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G085WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCTD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Memory Density 4 Gbit —
تنظیم 512M x 8 512M x 8
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (D-die) DDR4 SDRAM
ڈیٹا ریٹ 2400 Mb/s (PC2400) 2666 Mbps/pin
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
پیکیج FBGA-78 (TFBGA) 78-ball FBGA
Number of Terminals 78 —
انٹرفیس Parallel DDR4 (JEDEC-compatible)
Access Mode Multi-bank page burst —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Die Generation — D-die
Density — 4 Gb
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0C to +85C
Ball Pitch — 0.8 mm
Speed Class — DDR4-2666 (PC4-21300)
Bank Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں