K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G085WD-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A4G085WD-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| نرخ داده | 2400 Mb/s (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| رابط | Parallel | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| دمای کاری | — | 0C to +85C |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |