K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMATCV तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYMA0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BYMATCV द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |