K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMATCV موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYMA0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYMATCV بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |