K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMATCV השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYMA0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646E-BYMATCV מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| מספר פינים | — | 96 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| השהיית CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |