K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMATCV So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BYMA0 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646E-BYMATCV bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tổ chức | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | 1.35 V |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Hộp | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Số lượng chân | — | 96 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Latency CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |