K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646E-BYMATCV مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BYMA0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYMATCV بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V |
| معدل البيانات | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| حالة RoHS | — | Compliant |