YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना YZ48G16V-F9HPI-M द्वारा Loongtion और K4A8G165WB-BIWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Loongtion | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| पैकेज | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +85°C | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | DDR4 | Parallel |
| पिन काउंट | 96 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| पिन की संख्या | — | 96 |