YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci YZ48G16V-F9HPI-M disebabkan oleh Loongtion dan K4A8G165WB-BIWE disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Merek | Loongtion | Samsung Electronics |
| Kategori | DRAM | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisasi | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Kadar Data | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Kemasan | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| Gambaran Suhu Operasi | -40°C to +85°C | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.2 V | 1.2 V |
| Antaramuka | DDR4 | Parallel |
| Kiraan Pin | 96 | — |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Lebar Bus Data | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| Suhu Operasi | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Latensi CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Bilangan Pin | — | 96 |