YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از YZ48G16V-F9HPI-M بذریعہ Loongtion اور K4A8G165WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Loongtion | Samsung Electronics |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| پیکیج | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +85°C | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| انٹرفیس | DDR4 | Parallel |
| پن کی تعداد | 96 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| پنز کی تعداد | — | 96 |