YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار YZ48G16V-F9HPI-M توسط Loongtion و K4A8G165WB-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| برند | Loongtion | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| بسته‌بندی | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +85°C | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| رابط | DDR4 | Parallel |
| تعداد پایه | 96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| عرض گذرگاه داده | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |