W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng W634GU6RB-11TR sa pamamagitan ng Winbond at H5TC4G63CFR-H9A sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | W634GU6RB-11TR | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Rate ng Data | 1866 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V (1.5V compatible) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Packhaging | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Latensya ng CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |