W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ W634GU6RB-11TR بواسطة Winbond و H5TC4G63CFR-H9A بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | W634GU6RB-11TR | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Winbond | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| معدل البيانات | 1866 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35V (1.5V compatible) | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| زمن الوصول CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |