W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A So sánh

So sánh chi tiết song song của W634GU6RB-11TR bằng Winbond và H5TC4G63CFR-H9A bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số W634GU6RB-11TR H5TC4G63CFR-H9A
Thương hiệu Winbond SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
Tốc độ dữ liệu 1866 MT/s [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
Access Time 20 ns —
Điện áp cung cấp 1.35V (1.5V compatible) —
Giao diện Parallel —
Hộp 96-VFBGA (7.5x13 mm) 96-ball TFBGA
Nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C —
Latency CAS 13 [DATA_NEEDED: CAS latency]
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Đông trùng haogen Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá