W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של W634GU6RB-11TR מאת Winbond ו H5TC4G63CFR-H9A מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | W634GU6RB-11TR | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| מותג | Winbond | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| קצב נתונים | 1866 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Access Time | 20 ns | — |
| מתח אספקה | 1.35V (1.5V compatible) | — |
| ממשק | Parallel | — |
| מארז | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| השהיית CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |