BGA7L1N6E6327XTSA1 vs BGA7L1N6E6327XT Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BGA7L1N6E6327XTSA1 tarafından Infineon ve BGA7L1N6E6327XT tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BGA7L1N6E6327XTSA1 | BGA7L1N6E6327XT |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BGA7L1N6E6327XTSA1 | — |
| Fonksiyon | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB (typical) | 13.3 dB |
| Noise Figure | 0.90 dB (typical) | — |
| Besleme Gerilimi | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| Besleme Akımı | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable | Digital on/off switch, 1 V logic level |
| Input/Output Impedance | Internally matched to 50 ohm | — |
| Paket | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm | TSNP-6-2 (leadless) |
| İşletim Sıcaklığı | -40 C to +85 C | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity | 15,000 (reel) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Target Application | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end | — |
| Type | — | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure (NF) | — | 0.90 dB |
| Package Footprint | — | 0.7 mm x 1.1 mm |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40C to +85C |
| Ağ Yapısı | — | Single-stage with on-chip matching and bypass |
| Application Band | — | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) |