BGA7L1N6E6327XTSA1 vs BGA7L1N6E6327XT השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BGA7L1N6E6327XTSA1 מאת Infineon ו BGA7L1N6E6327XT מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BGA7L1N6E6327XTSA1 | BGA7L1N6E6327XT |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BGA7L1N6E6327XTSA1 | — |
| פונקציה | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB (typical) | 13.3 dB |
| Noise Figure | 0.90 dB (typical) | — |
| מתח אספקה | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| זרם אספקה | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable | Digital on/off switch, 1 V logic level |
| Input/Output Impedance | Internally matched to 50 ohm | — |
| מארז | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm | TSNP-6-2 (leadless) |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +85 C | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity | 15,000 (reel) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Application | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end | — |
| Type | — | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure (NF) | — | 0.90 dB |
| Package Footprint | — | 0.7 mm x 1.1 mm |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40C to +85C |
| טופולוגיה | — | Single-stage with on-chip matching and bypass |
| Application Band | — | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) |