BGA7L1N6E6327XTSA1 vs BGA7L1N6E6327XT موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BGA7L1N6E6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BGA7L1N6E6327XT بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BGA7L1N6E6327XTSA1 | BGA7L1N6E6327XT |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BGA7L1N6E6327XTSA1 | — |
| فنکشن | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB (typical) | 13.3 dB |
| Noise Figure | 0.90 dB (typical) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| سپلائی کرنٹ | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable | Digital on/off switch, 1 V logic level |
| Input/Output Impedance | Internally matched to 50 ohm | — |
| پیکیج | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm | TSNP-6-2 (leadless) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40 C to +85 C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity | 15,000 (reel) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Target Application | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end | — |
| Type | — | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure (NF) | — | 0.90 dB |
| Package Footprint | — | 0.7 mm x 1.1 mm |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40C to +85C |
| ٹوپولوجی | — | Single-stage with on-chip matching and bypass |
| Application Band | — | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) |