IRFR3806TRPBF vs IRFH8318TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3806TRPBF tarafından Infineon ve IRFH8318TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR3806TRPBF | IRFH8318TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | 41 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| Paket / Kas | TO-252AA (DPAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFH8318TRPBF |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 120 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 59 W |
| Paket | — | PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55°C to +150°C |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Description | — | Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters |