IPW60R041C6FKSA1 vs SPW47N60C3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R041C6FKSA1 بذریعہ Infineon اور SPW47N60C3 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R041C6FKSA1 SPW47N60C3
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت NRND فعال
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS C3 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3)
پیکیج PG-TO247-3-1 (TO-247-3) TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
MSL لیول Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Part Number — SPW47N60C3
Manufacturer — Infineon Technologies AG
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 47 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 415 W
RDS(on) (typical) — 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: nanocoulombs]
Output Capacitance Eoss @ 400V — Very low (per C3 series datasheet)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (G, D, S)
Series — CoolMOS C3 (600V generation)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں