IPW60R041C6FKSA1 vs SPW47N60C3 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPW60R041C6FKSA1 bằng Infineon và SPW47N60C3 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPW60R041C6FKSA1 | SPW47N60C3 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | NRND | Hoạt động |
| Technology | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) | CoolMOS C3 (superjunction) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 77.5 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 481 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 41 mΩ at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V typical | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Rise Time (tr) | [DATA_NEEDED: tr value] | — |
| Fall Time (tf) | [DATA_NEEDED: tf value] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C | -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3) |
| Hộp | PG-TO247-3-1 (TO-247-3) | TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Cấp MSL | Not Applicable (Through-hole) | N/A (through-hole) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Part Number | — | SPW47N60C3 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies AG |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 47 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 415 W |
| RDS(on) (typical) | — | 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition] |
| Gate Charge (Qg, typical) | — | [DATA_NEEDED: nanocoulombs] |
| Output Capacitance Eoss @ 400V | — | Very low (per C3 series datasheet) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (G, D, S) |
| Series | — | CoolMOS C3 (600V generation) |