K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646Q بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16TW-093 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646Q K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16TW-093 MT41K256M16TW-093 - 4Gbit DDR3L SDRAM 1.066GHz | Micron

MT41K256M16TW-093 - 4Gbit DDR3L SDRAM 1.066GHz | Micron

MT41K256M16TW-093 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646Q MT41K256M16TW-093
برانڈ Samsung Electronics Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $15.50
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
تنظیم 256M x 16 —
ڈیٹا بس چوڑائی 16 bits 16 bit
سپلائی وولٹیج 1.35V 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps (PC3-14900) 2133 MT/s
پیکیج 96-ball FBGA 96-FBGA (8x14 mm)
Die Q-die —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
CAS لیٹنسی Programmable —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
میموری سائز — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 1.066 GHz
Access Time — 20 ns
انٹرفیس ٹائپ — Parallel
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — 0°C to +95°C (TC)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
REACH Status — Compliant
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں