K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646Q מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16TW-093 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646Q | MT41K256M16TW-093 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $15.50 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | 16 bit |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3-14900) | 2133 MT/s |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| השהיית CAS | Programmable | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.066 GHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| סוג ממשק | — | Parallel |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C (TC) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |