K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646Q توسط Samsung Electronics و MT41K256M16TW-093 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646Q | MT41K256M16TW-093 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $15.50 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| عرض گذرگاه داده | 16 bits | 16 bit |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| نرخ داده | 1866 Mbps (PC3-14900) | 2133 MT/s |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| تأخیر CAS | Programmable | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| اندازه حافظه | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.066 GHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| نوع رابط | — | Parallel |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | — | 0°C to +95°C (TC) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |