K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646Q بواسطة Samsung Electronics و MT41K256M16TW-093 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646Q | MT41K256M16TW-093 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $15.50 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bits | 16 bit |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| معدل البيانات | 1866 Mbps (PC3-14900) | 2133 MT/s |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| حجم الذاكرة | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.066 GHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| نوع الواجهة | — | Parallel |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C (TC) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |