ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 比較

詳細並排比較 ISC151N08NM6ATMA1 由 Infineon 與 IAUS300N08S5N011TATMA1 由 Infineon. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ 啟用中
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IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ 啟用中

規格比較

參數 ISC151N08NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
品牌 Infineon Infineon
類別 MOSFETs MOSFETs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
電晶體類型 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
連續汲極電流 (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-5 (trench MOSFET)
封裝 PG-TDSON-8 FL PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
腳位數 8 —
Channel Mode Enhancement —
工作溫度 -55 °C to +175 °C —
RoHS 狀態 Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
工作溫度範圍 — -55 C to +175 C (Tj)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

資料表與資源

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