ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của ISC151N08NM6ATMA1 bằng Infineon và IAUS300N08S5N011TATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số ISC151N08NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Trực流连续电流 (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Hộp PG-TDSON-8 FL PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 8 —
Channel Mode Enhancement —
Nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +175 C (Tj)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá