ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC151N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IAUS300N08S5N011TATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC151N08NM6ATMA1 | IAUS300N08S5N011TATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS-5 (trench MOSFET) |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL | PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 300 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 375 W |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 1.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3 V (max) |
| Total Gate Charge (Q_G) @ 10V | — | 231 nC |
| Output Capacitance (C_OSS) | — | 130 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) | — | 16.25 nF (typ) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Number of Channels | — | 1 |
| Automotive Qualified | — | Yes (Infineon automotive part) |