ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC151N08NM6ATMA1 מאת Infineon ו IAUS300N08S5N011TATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | ISC151N08NM6ATMA1 | IAUS300N08S5N011TATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| זרם ניקוז רציף (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS-5 (trench MOSFET) |
| מארז | PG-TDSON-8 FL | PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 300 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 375 W |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 1.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3 V (max) |
| Total Gate Charge (Q_G) @ 10V | — | 231 nC |
| Output Capacitance (C_OSS) | — | 130 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) | — | 16.25 nF (typ) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Number of Channels | — | 1 |
| Automotive Qualified | — | Yes (Infineon automotive part) |