H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NDJR-XNC بواسطة SK hynix و K4A8G085WC-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $55.68 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| العلبة | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| الواجهة | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| زمن الوصول CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| حالة RoHS | — | Compliant |