H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NDJR-XNC מאת SK hynix ו K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $55.68 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| מארז | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| ממשק | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| השהיית CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |