H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR-XNC بذریعہ SK hynix اور K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $55.68 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| پیکیج | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| انٹرفیس | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS لیٹنسی | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |