H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G6NDJR-XNC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G085WC-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $55.68 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| প্যাকেজ | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| সংগঠন | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -40°C to +95°C |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS লেটেন্সি | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |