H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR-XNC توسط SK hynix و K4A8G085WC-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $55.68 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| محدوده دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| رابط | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| تأخیر CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |