H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5AN8G6NDJR-XNC sa pamamagitan ng SK hynix at K4A8G085WC-BIWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | $55.68 | — |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Rate ng Data | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| Packhaging | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisasyon | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | -40°C to +95°C |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Interface | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latensya ng CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |