IPP60R180P7XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP60R180P7XKSA1 بواسطة Infineon و IPP100N12S305AKSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP60R180P7XKSA1 IPP100N12S305AKSA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C -55C to +175C (TJ)
العلبة PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3-1 (Through Hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الدبابيس 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes Yes (single-pulse)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL N/A (through-hole) N/A (Through Hole)
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر